26 сентября 2012 г. Ярославский филиал ФТИАН посетил директор Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» член-корреспондент РАН М.В.Ковальчук.
Ярославский филиал ФГБУН Физико-технологического института РАН стал лауреатом конкурса «100 лучших вузов и НИИ России».
С 23 по 25 мая 2012 г. на базе пансионата "Парк-отель Ярославль" прошла Международная конференция по актуальным проблемам физики поверхности и наноструктур, одним из организаторов которой являлся ЦКП «Диагностика микро- и наноструктур»
БАЗА ЗНАНИЙ «НАНОТЕХНОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ»
Наноэлектроника – область микроэлектроники, охватывающая проблемы создания интегральных микросхем с топологической нормой менее 100 нм.
Наноэлектронике предшествовала микроэлектроника, которая ведет свою историю с 1958 года, когда Джеком Килби (фирма Texas Instruments) и Робертом Нойсом (фирма Fairchild) были созданы первые интегральные микросхемы, содержавшие 4 транзистора и 2 резистора.
Последующее развитие микроэлектроники, а затем и наноэлектроники шло по пути увеличения числа транзисторов, которое в современных микропроцессорах достигает полутора миллиардов и, соответственно, уменьшения топологических норм. Современные устройства интегральной электроники изготавливаются по проектным нормам 22 нм, а компания Intel вплотную подошла к выпуску компьютерных процессоров по 14-нанометровой технологии на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин.
Развитие наноэлектроники в настоящее время представляет собой сложный процесс, направленный на создание новых материалов, разработку новых принципов формирования рисунка с топологическими нормами менее 100 нм, совершенствование теоретических представлений о механизмах переноса заряда в наноструктурах. Дальнейшее развитие наноэлектроники невозможно без разработки новых базовых технологий формирования критических элементов полупроводниковых приборов и элементов памяти. Разработка таких технологий в свою очередь предполагает проведение фундаментальных и прикладных исследований в области:
- физических основ работы транзисторов с нанометровыми размерами, в первую очередь квантовых транзисторов;
- новых материалов с заданными электрическими и магнитными свойствами;
- физических основ технологических процессов наноэлектроники;
- теоретических моделей критических элементов интегральных полупроводниковых приборов на основе новых материалов интегральной электроники;
- новых материалов с заданными электрическими и магнитными свойствами;
- методов формирования наноструктур на основе этих материалов и методов учета влияния поверхностей и границ раздела на свойства наноструктур;
- собственно нанотранзисторов и технологий их изготовления;
- интегральных микросхем с нанометровыми топологическими нормами.
В настоящее время объем информации о перспективных разработках и технологиях в области наноэлектроники в Российской Федерации и за рубежом столь велик, что назрела необходимость ее структуризации, комплексного анализа и представления в виде онтологии научных, технических и технологических знаний в области наноэлектроники. С этой целью и была разработана база знаний по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети «Наноэлектроника». Для обеспечения доступа к семантическим ресурсам в предметной области и решения научных, инженерных, производственных и образовательных задач в сфере наноэлектроники создан информационный портал «Нанотехнологии интегральной электроники». В настоящее время база знаний содержит более 300 продукционных правил, число которых будет пополняться по мере увеличения числа обращений, откликов и предложений пользователей.
